0 |
Исследователи из Калифорнийского университета в Лос Анджелесе (UCLA) и Аргоннской Национальной Лаборатории, 12 июня опубликовали в Science Express статью, описывающую метод получения скирмионных пузырьков при комнатной температуре.
Открытые несколько лет назад скирмионы, это мельчайшие островки намагниченности, образующиеся в некоторых материалах. В виде «пузырьков» – свернутые в сферу с векторами намагниченности, направленными в разные стороны, скирмионы имеют повышенную стабильность. Ученые научились перемещать такие скирмионы электрическим полем и считают их перспективными для создания более компактной и эффективной электроники.
Однако единственный известный до сих пор путь получения скирмионных пузырьков требовал охлаждения ниже 268 К и редкого, дорогостоящего оборудования, такого как спин-поляризованный сканирующий туннельный микроскоп.
«Наша разработка это, на данный момент, простейший способ генерирования скирмионных пузырьков», – сообщил первый автор статьи Ванцзюнь Цзян (Wanjun Jiang) из Аргоннской лаборатории.
Его коллектив использовал для «надувания» пузырьков геометрическую структуру очень тонкой пленки, в которой слой магнитного материала находился между слоями тантала и оксида тантала. На одной стороне миниатюрного канала в магнитном материале формировались длинные полоски доменов. Под воздействием электрического тока эти полоски вытягивались через канал и разрывались с образованием мельчайших сферических скирмионов с другой его стороны.
Авторы отмечают, что используемые ими материалы не являются экзотическими, они довольно широко применяются в магнитной технике. Кроме того, электрический ток, двигающий скирмионы, намного ниже, используемого в других экспериментальных типах памяти, например, в трековой памяти (racetrack), разрабатываемой IBM.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
0 |