`

СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ

Чи використовує ваша компанія ChatGPT в роботі?

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Легирование 2D-материалов можно заменить воздействием внешнего поля

0 
 
Легирование 2D-материалов можно заменить воздействием внешнего поля

Для того чтобы иметь возможность контролировать поведение электронов, многие полупроводниковые материалы подвергают химическому легированию. Присутствие посторонних элементов, доноров или акцепторов, вносит изменения в концентрацию электронов, которые могут использоваться для управления током.

Однако, в исследовательских целях, химическое легирование применяется ограниченно, так как оно вызывает необратимые изменения в структуре изучаемого материала. Посторонние атомы нарушают естественную организацию и могут маскировать важные электронные состояния чистого материала.

Команда Центра продвинутых 2D-материалов (CA2DM) Научного факультета Национального Университета Сингапура (NUS) сумела воспроизвести эффекты химического легирования с помощью одних только внешних электрических и магнитных полей. Об этом сообщил на своих страницах престижный научный журнал Nature.

Легирование 2D-материалов можно заменить воздействием внешнего поля

Авторы воздействовали на химически чистые монокристаллы октаэдрического диселенида титана (1T-TiSe2) толщиной менее 10 нм, размещённые между атомными слоями гексагонального нитрида бора (hBN). Минимальная толщина обоих материалов играла критическую роль: электроны оказывались заключены в двумерном слое, где воздействие электрического и магнитного полей было наиболее сильным и равномерным.

Используя этот метод исследователи смогли точно и обратимо управлять движением электронов, а также выполнять измерения, до сих пор остававшиеся неосуществимыми на практике. «В частности, мы также смогли ввести материал в состояние, называемое сверхпроводимостью, в котором электроны проходили из конца в конец без каких-либо тепловых или энергетических потерь», — сообщил руководитель работы, профессор NUS Кастро Нето (Antonio Castro Neto).

Разработка высокотемпературных 2D-сверхпроводников является мегазадачей коллектива CA2DM. Новый метод «полевого легирования», на совершенствование которого ушло около двух лет, приблизит ученых к её решению, сделав возможными эксперименты, проливающие новый свет как на высокотемпературную сверхпроводимость, так и на другие интересные явления физики твёрдого тела.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Ukraine

 

  •  Home  •  Ринок  •  IТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Мережі  •  Безпека  •  Наука  •  IoT