«Крокус Наноэлектроника» начала производство магниторезистивной памяти

«Крокус Наноэлектроника», совместное предприятие РОСНАНО и французской Crocus Technology, приступила к производству магниторезистивной памяти (MRAM).

Продукция проекта, основанная на MRAM и технологии MLU (Magnetic-Logic-Unit — магнитная логическая ячейка), разработанной Crocus Technology совместно с IBM, может использоваться в смарт-картах, сетевых коммутаторах, устройствах биометрической аутентификации, коммуникационных устройствах NFC и защищенной памяти. Ожидается, что объем общего рынка применений продукции проекта в 2014 г. превысит $8 млрд.

Отмечается, что первая очередь производства «Крокус Наноэлектроника», введенная в строй за год с момента начала строительства, станет первым в мире производством MRAM с проектными нормами 90 нм. На 200- и 300-миллиметровые пластины, произведенные по технологии КМОП, на заводе наносятся дополнительные слои для создания ячеек памяти MRAM. К концу 2014 г. его производительность составит 500 пластин в неделю. Общий объем инвестиций в проект превышает €200 млн, включая софинансирование РОСНАНО в размере €100 млн.