| 0 |
|
В Центре оптоэлектронных исследований (ORC) университета Саутгемптона достигнут технологический прорыв, открывающий перспективы применения главного материала микроэлектронной революции, кремния, также в фотонике.
В журнале Nature Materials сотрудники ORC описали метод изменения структуры энергетических уровней, который помогает преодолеть основные затруднения, препятствующие использованию кремния в цифровых коммуникациях. Лазерная обработка кремниевого волокна позволяет полностью кристаллизовать его центральную часть, в то же время модифицируя с помощью переменных внутренних напряжений его оптоэлектронные свойства. Запрещенная зона, в результате, уменьшается с 1,1 до 0,59 эВ, благодаря чему кремний получает возможность поглощать фотоны с длиной волны до 2100 нм.
Введение кремниевых материалов в геометрию оптоволокна позволяет обойти проблемы сопряжения между микронными светопроводящими волокнами и нанометровыми внутричиповыми волноводами, служащими для обработки данных.
«Наша статья показывает возможность снизить энергию запрещенной зоны этого материала наполовину, — комментирует ведущий исследователь, доктор Ноэль Хили (Noel Healy). — Отныне можно рассматривать кремний как среду для оптического детектирования на всем протяжении диапазона телекоммуникационных частот. Это значительно увеличивает число потенциальных приложений данного материала, как электрических, так и оптических».
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
