`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Кремниевые нанопроволоки повышают эффективность солнечных элементов

+11
голос

Ученые из Университета города Гонконга (City University of Hong Kong) под руководством Шуйт-Тон Ли (Shuit-Tong Lee) успешно завершили эксперимент по созданию фотоэлектрохимических солнечных элементов на базе массива кремниевых нанопроволок, которые демонстрируют более высокий коэффициент поглощения света и, таким образом, большую эффективность преобразования световой энергии при меньшей стоимости, чем обычные кремниевые.

Элементы, изготовленные командой ученых, демонстрируют превосходное поглощение света по всему диапазону длин волн (300—1000 нм), широкую спектральную полосу и отличную электропроводность по сравнению с другими недорогими полупроводниковыми материалами, такими как нанокристаллическая двуокись титана. Кроме того, благодаря большому соотношению поверхность/объем кремниевые нанопроволоки (SiNW) обеспечивают большую площадь на единицу материала.

Массив кремниевых нанопроволок был изготовлен с помощью простого металлкатализированного травления кремниевых пластин – процесса, который широко используется в полупроводниковой индустрии и имеет приемлемую стоимость. Техника травления без использования электричества позволяет быстро изготавливать SiNW больших размеров с хорошей электропроводностью без легирования.

Кремниевые нанопроволоки повышают эффективность солнечных элементов

Хотя имеются и другие пути получения SiNW, их оригинальный способ с использованием металлкатализированного травления кремния, как объяснил д-р Ли, имеет много преимуществ. С его помощью можно производить SiNW с необходимой электропроводностью в воздухе на больших площадях из кремниевых пластин низкой стоимости. В противоположность этому, SiNW, созданные методом химического вакуумного осаждения являются более дорогими, производятся в небольших количествах и требуют легирования для достижения необходимой электропроводности.

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT