| 0 |
|
Наиболее эффективные фотоэлектронные устройства изготовляются из материалов так называемого класса III-V. Однако высокая стоимость подложек для эпитаксиального роста, длительность процесса выращивания и необходимость больших инвестиций в производственное оборудование делают такие материалы в 10 раз более дорогими, чем кремний. Это обстоятельство до сих пор ограничивало применение солнечных элементов, наиболее продуктивно преобразующих свет в электроэнергию, военным и космическим секторами.
Способ низкозатратного роста осаждением из газовой фазы (vapor-liquid-solid, VLS) тонких пленок таких полупроводниковых материалов, предложенный инженерами Калифорнийского университета в Беркли (UC Berkeley), способен сделать цены на высокоуровневые солнечные батареи и светодиоды вполне приемлемыми для потребительского рынка.
Исследователи UC Berkeley продемонстрировали, что слой фосфида индия (компаунд III-V) толщиной 1-3 мкм можно выращивать на тонких пленках молибденовой фольги гораздо быстрее и дешевле, чем традиционными методами, с сохранением нужных оптоэлектрических характеристик.
Итоги работы группы под руководством адьюнкт-профессора Эли Джеви (Ali Javey), осуществлявшейся при финансовой поддержке Министерства энергетики США, опубликованы 24 июля в Scientific Reports.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
