| 0 |
|
По мере уменьшения размеров и увеличения плотности монтажа электронных компонентов, их электрические характеристики становятся все более подверженными влиянию генерируемого тепла.
«Взаимодействие между тепловыми и электрическими явлениями это одна из самых неприятных проблем в аналоговых и цифровых интегральных схемах», — считают Ре Ишикава (Ryo Ishikawa), Дзюничи Кимура (Junichi Kimura) и Кадзухико Хонджо (Kazuhiko Honjo) из Университета электрокоммуникаций (Чофу, Япония).
В своей статье, вышедшей в сборнике IEEE Transactions on components, packaging and Manufacturing Technology, эти исследователи сообщили о первом в мире методе, использующем электронную схему для подавления цифровых искажений модулированного высокочастотного сигнала, вызванных тепловым поведением гетеропереходного биполярного транзистора (heterojunction bipolar transistor, HBT).
Разработанная ими техника призвана помочь создавать устройства с повышенной устойчивостью к тепловым эффектам.
Авторы моделировали тепловое воздействие транзистора многоступенчатой интегральной схемой, использующей повторяющиеся блоки тепловых резисторов и тепловых конденсаторов.
Действенность такой схемы для компенсирования искажений сигнала ранее была подтверждена экспериментами и численным моделированием, но Хонджо с коллегами первыми разработал аналитическую нелинейную модель. Она продемонстрировала хорошее соответствие с результатами экспериментов, проводившихся с усилителем мощности на InGaP/GaAs HBT, работающим на частоте 1,95 ГГц.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
