`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Электроника: магнитные запоминающие устройства на правильном пути

+11
голос

Исследование коммутационных характеристик обеспечивает новые критерии для достижения более быстрого переключения магнитной памяти.

Компьютерные жесткие диски хранят данные посредством записи магнитной информации на их поверхность. В будущем магнитные эффекты также могут быть использованы для улучшения оперативной памяти в компьютерах, потенциально устраняя необходимость их загрузки. Один способ достичь этого – использовать память на основе технологии, известной как магнитная память с переносом спина (STT-MRAM), которая использует информацию, хранящуюся в паре тонких магнитных слоев.

Выполнив расчеты, Чи Кван Ган (Chee Kwan Gan) и его коллеги из Института высокопроизводительных вычислений A*STAR предложили пути совершенствования памяти STT-MRAM посредством определения вариантов дизайна для достижения более быстрой скорости коммутации, и, следовательно, более быстрой записи данных.

В устройствах STT-MRAM относительная ориентация магнитных полей в двух тонких слоях определяет электрическое сопротивление. Если направления намагниченностей в обоих слоях совпадают, то электрическое сопротивление будет ниже, чем тогда, когда слои имеют разные направления магнитного поля.

Переключение устройства между различными магнитными состояниями – что соответствует записи данных в память – достигается с помощью установки спинов электронов в одном направлении. В совокупности эти электроны способны изменить направление намагниченности в одном из слоев. Время, необходимое для переключения направление намагниченности, зависит от нескольких факторов, в том числе от начальной относительной ориентации магнитных полей в двух слоях. Во время процесса переключения намагниченность переключаемого слоя может изменяться разными путями.

Как было установлено в предыдущих экспериментах, процесс переключения зависит от двух параметров. С помощью своей математической модели исследователи смогли сосредоточиться на одном менее изученном квазиполевом параметре, который описывает относительную ориентацию магнитных полей в обоих слоях. Вклад этого члена уравнения зависит от различных факторов, таких как геометрия устройства и используемые материалы.

Расчеты показали, что для устройств с большим значением квазиполевого параметра существует более высокая вероятность уменьшить время переключения, чем для устройств, в которых этим параметром можно пренебречь. Ган объяснил, что это открытие будет содействовать развитию усовершенствованных устройств STT-MRAM.

Кроме того, необходимо лучшее понимание происхождения квазиполевого члена. «Хотя эффект квазиполевого члена был подтвержден экспериментально и исследован в нашей работе с помощью моделирования, важно понять его физическое происхождение, чтобы улучшить конструкцию материала», - отметил Ган.

Электроника магнитные запоминающие устройства на правильном пути

Особенности переключения магнитного слоя в устройствах STT-MRAM зависит от относительной ориентации намагниченности слоев в устройстве

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT