Изготовлен первый чип памяти NAND с детализацией 40 нм

Samsung Electronics на своей шестой ежегодной пресс-конференции в Сеуле (Корея) сообщила о создании первого в индустрии устройства памяти, изготовленного по технологии с уровнем детализации 40 нм. В микросхеме флэш-памяти NAND емкостью 32 GB также впервые получила применение архитектура Charge Trap Flash (CTF), что дополнительно увеличивает эффективность производства при одновременном улучшении быстродействия.

В CTF управляющий затвор в пять раз меньше, чем в обычной структуре "плавающих затворов" (floating gate). Данные временно помещаются в непроводящем слое нитрида кремния, что увеличивает надежность работы и улучшает контроль за током записи.

В 40-нанометровом чипе также используется структура TANOS (Tantalum, Aluminum Oxide, Nitride, Oxide и Silicon): тантал (металл), оксид алюминия (high k - материал), нитрид, оксид и кремний. Это первый опыт применения комбинации из металлического слоя и high k в устройстве NAND.

Новый продукт Samsung стал уже седьмым поколением NAND подтверждающим теорию New Memory Growth Theory, согласно которой емкость чипов памяти должна удваиваться каждые 12 месяцев.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI

0

Tweet