Intel первой показала работающий чип с уровнем детализации 45 нм

27 января 2007 г., 16:11

Hardware

По заявлению Intel, сделанному 25 января, она стала первой в мире компанией, которой удалось осуществить этапное достижение в развитии производственной полупроводниковой технологии с нормой 45 нм -- изготовить с ее помощью полнофункциональные микросхемы статической памяти SRAM (Static Random Access Memory).

Микросхема SRAM с уровнем детализации 45 нм насчитывает свыше 1 млрд транзисторов. Она изготовлена исключительно в целях демонстрации возможностей технологии, которая в дальнейшем будет использоваться для производства процессоров и других сложных логических чипов.

Новая технология компании делает возможным получение чипов с уменьшенным в 5 раз расходом энергии, по сравнению с выпускаемыми сегодня, что приведет к появлению компактных мобильных устройств с более долгим сроком автономной работы.

Дальнейшие планы Intel предусматривают начало широкомасштабного выпуска 45-нанометровых продуктов в 2007 г. используя пластины диаметром 300 мм. В дополнение к технологической линии D1D в штате Орегон, где изготовлены анонсированные чипы SRAM, компания рассчитывает внедрить новую технологию на сооружаемых ею заводах Fab 32 в Аризоне и Fab 28 в Израиле.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI