Обычно современные процессоры сожержат большие объемы кэш-памяти на чипе, ускоряющие доступ к данным, таким образом повышающие общую производительность и энергоэффективность. Инженеры компании Intel обнаружили способ повышения плотности кэш-памяти путем замещения современных 6-транзисторных ячеек памяти SRAM новыми, построенными по технологии «плавающих ячеек» (Floating body cell, FBC).
Технология была представлена на конференции VLSI Technology and Circuits. По данным Intel, массовое производство FBC по техпроцессу с детализацией 22 нм не будет связано с намного большими затратами ресурсов, как это считалось ранее.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +33 голоса |
|
