Intel и Micron представили новую технологию памяти 3D XPoint

29 июля 2015 г., 13:02

Компании Intel и Micron представили энергонезависимую память 3D XPoint, которая позволяет создать новую категорию устройств хранения данных впервые со времен выхода на рынок флэш-памяти NAND в 1989 г.

По заявлению Intel, разработка технологии 3D XPoint велась в течение 10 лет. В ней используется новый класс энергонезависимой памяти, которая значительно уменьшает задержки, позволяя хранить больший объем данных ближе к процессору. Она базируется на перекрестной архитектуре, похожей на трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет выполнять адресацию в независимом порядке. В результате, данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи. При этом перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти. Каждая ячейка памяти хранит один бит данных. Это позволяет добиться высокой скорости работы и высокой плотности.

Помимо расположения в крестообразной структуре, ячейки памяти размещаются в несколько слоев. Изначальная технология позволяет хранить 128 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти. Будущие поколения технологии позволят увеличить количество слоев для масштабирования емкости.

Intel и Micron представили новую технологию памяти 3D XPoint

Доступ и чтение или запись в ячейках памяти осуществляются путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов, что увеличивает емкость и снижает стоимость. Благодаря небольшому размеру ячеек, быстродействующим селекторам, низкой задержке и быстрой записи, ячейки могут переключать состояния быстрее, чем любая технология энергонезависимой памяти.

Пробные поставки продукции на базе технологии 3D XPoint для отдельных заказчиков начнутся в этом году. Кроме того, Intel и Micron разрабатывают собственную продукцию на базе этой технологии.

«На протяжении нескольких десятилетий компании искали способы сократить время задержки при обращении процессора к данным, чтобы повысить скорость анализа информации, – сказал Роб Крук (Rob Crooke), старший вице-президент и генеральный директор Non-Volatile Memory Solutions Group корпорации Intel. – Новый класс энергонезависимой памяти 3D XPoint позволяет решить эту проблему и повысить скорость работы систем хранения данных».

«Одной из наиболее важных проблем в мире современных вычислительных технологий является длительное время, которое требуется процессору для доступа к данным в системе хранения, – сказал Марк Адамс (Mark Adams), президент компании Micron. – Новый класс энергонезависимой памяти представляет собой революционную технологию, которая обеспечивает быстрый доступ к большим объемам данных и позволяет создать принципиально новые области применения».