Intel и Micron переходят на 20-нм техпроцесс в производстве NAND флеш

Intel и Micron Technology объявили о переходе на нормы 20-нм технологического процесса при производстве NAND-памяти. Новый процесс позволяет выпускать чипы с многоуровневой структурой ячеек (MLC) емкостью 8 ГБайт. Эти чипы будут применяться также в твердотельных накопителях (SSD). Новые чипы выпускаются IM Flash Technologies (IMFT), совместным предприятием Intel и Micron.

Микросхемы емкостью 8 ГБайт, выполненные на базе 20-нм технологии, имеют площадь всего 118 мм2, занимая на 30-40% меньше пространства на печатной плате (зависит от типа корпуса) по сравнению с чипами аналогичной емкости, выполненными на базе 25-нм технологии.

Уменьшение техпроцесса является эффективным способом расширения производственной мощности в пересчете на единицу объема информации - данный шаг позволил примерно на 50% увеличить мощность производства в гигабайтах по сравнению с технологией предыдущего поколения. При этом 20-нм процесс сохраняет прежний уровень скорости работы флэш-памяти и обеспечивает столь же длительный срок эксплуатации.

В настоящее время ведутся поставки тестовых образцов 20-нм чипов памяти на 8 ГБайт. Серийный выпуск планируется начать во второй половине 2011 г. В ближайшее время Intel и Micron планируют представить образцы модулей емкостью 16 ГБайт, которые позволят создавать твердотельные накопители емкостью 128 Гбайт.