Компании Intel и Infineon объявили о стратегическом сотрудничестве для создания высокоемких SIM-карт. Согласно договоренностям, Infineon создаст архитектуру чипа и 32-битный микроконтроллер на базе SLE 88, а Intel разработает специализированную компактную флеш-память нового поколения емкостью 4 – 64 МБ. Модули флэш-памяти Intel типа NOR для HD SIM-карт будут производиться по 65- и 45-нанометровому техпроцессу. Высокоемкие SIM-карты будут соответствовать спецификациям ETSI и функционировать в диапазоне напряжения питания 1,8 – 3,3 В.
Компании планируют представить первые образцы HD SIM во второй половине 2008 г. и запустить их в массовое производство в первой половине 2009 г.
По оценкам компании Frost & Sullivan, мировой рынок SIM-карт в 2007 г. составит 2,5 млрд шт, к 2010 г. вырастет до 3,8 млрд шт. При этом HD SIM-карты нового поколения составят 6 – 8% рынка.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
