Ученые лаборатории IBM Research в Цюрихе (Швейцария) удалось построить чипы с многоуровневой архитектурой на основе энергонезависимой памяти с фазовым переходом (PCM). Принцип ее работы основан на свойстве материала находится в двух стабильных фазовых состояниях, в одном из которых вещество является кристаллическим проводником, а в другой - непроводящим аморфным материалом.
При изменении фазового состояния (в ответ на приложение небольшого тока) производится переключение между нулем и единицей. Сознанные ранее образцы PCM могли сохранять один бит информации на ячейку, в новой разработке IBM в каждой ячейке хранится двухразрядное сочетание битов 00, 01, 10 или 11.
Образец нового чипа произведен по 90-нм CMOS-технологии, включает 200 тыс. ячеек, имеет время задержки для записи около 10 мкс (это в 100 раз лучше, чем у современной NAND-памяти), выдерживает по меньшей мере 10 млн циклов перезаписи (у флеш-памяти – от 3 до 30 тыс).
По мнению ученых, новая разработка IBM делает возможным создание PCM-памяти высокой плотности, которые в перспективе заменят используемые сейчас типы флеш-памяти.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +22 голоса |
|
