Корпорация IBM, Applied Materials и UAlbany NanoCollege объявили о подписании соглашения по совместному созданию технологий моделирования процесса для производства логических микросхем и чипов памяти с использованием 22-нанометрового техпроцесса.
Данные разработки позволят минимизировать вероятность изменения параметров процесса, снизить затраты на R&D и ускорить вывод на рынок готовых 22-нанометровых продуктов. Для претворения в жизнь новой технологии будут использоваться транзисторы FinFET – потенциальные заменители обычных планарных транзисторов в чипах новым уровнем детализации.
Для выпуска 22-нанометровых полупроводников в методах литографии, применяемых при производстве чипов с уровнем детализации 45 нм и более, необходимо провести определенные изменения – убрать физические ограничения для критических слоев чипов при создании рисунка схемы на кремниевой пластине. С этой целью IBM запустила инициативу Computational Scaling, в рамках которой можно будет выпускать чипы с уровнем детализации 22 нм и меньше.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| +11 голос |
|
