IBM и Samsung открыли путь к емкой памяти ST-MRAM

Двадцать лет назад специалисты IBM Research изобрели магниторезистивную память. Запоминающие устройства на ее основе могут хранить информацию при помощи магнитных моментов, а не электрических зарядов. К достоинствам MRAM относится высокое быстродействие и энергонезависимость, что делает ее универсальной заменой памяти DRAM и NAND.

Хотя первое поколение устройств MRAM производилось в течение многих лет, различные технические проблемы, в том числе невозможность понижения тока записи, мешали масштабировать память до высокой плотности, что не давало шансов на широкое применение MRAM. Отмечая знаменательную дату, компания рассказала о важном достижении в этой области — специалистам IBM и Samsung удалось продемонстрировать хорошую масштабируемость памяти STT-MRAM, уменьшив размер одной ячейки памяти до 11 нм.

При этом ячейка функционировала быстро и с небольшим энергопотреблением — изменение ее состояния выполнялось всего за 10 нс, а потребляемый при этом ток составил 7,5 мкА. Использование гораздо меньших токов записи позволяет радикально уменьшить размеры транзисторов записи, что позволит создать гораздо более плотную MRAM. Вместе с тем, ученые отмечают, что чтобы полностью реализовать потенциал технологии по-прежнему необходима разработка новых материалов.

В сравнении с растущим объемом производства других типов компьютерной памяти, MRAM пока широко не представлена на рынке, однако в IBM считают, что время для новой технологии памяти стремительно приближается, так как набирающие популярность различные когнитивные приложения требуют обработки петабайт структурированных и неструктурированных данных.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI