Южнокорейская Hynix Semiconductor сообщила о начале массового выпуска на ее фабрике V11 64-гигабитовых чипов флэш-памяти NAND, изготовляемых по технологии класса 20 нм на базе 300-миллиметровых заготовок. Об успешной разработке этого процесса компания объявила еще в феврале текущего года.
По данным аналитиков, новое устройство имеет уровень детализации 26 нм и позволит удвоить емкость современных модулей, комплектующихся чипами 32 Гб.
Что касается других производителей - к настоящему времени Samsung начаа выпуск 27-нанометровой NAND, IM Flash talked about a приступила к поставкам 25-нанометрового устройства, а SanDisk/Toshiba сообщили о 24-нанометровом продукте.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
