Hitachi и Renesas представили быстродействующую фазовую память

Hitachi и Renesas Technology анонсировали создание опытного 512-килобайтного модуля, предназначенного для использования в качестве встраиваемой энергонезависимой памяти в чипах нового поколения. Он имеет напряжение питания 1,5 В, обеспечивает скорость чтения-записи 416 KBps и время доступа 20 нс.

Данное устройство, представленное на конференции ISSCC (International
Solid-State Circuits Conference) в Сан Франциско, базируется на ранее разработанной технологии ячеек с механизмом запоминания, использующим переход между аморфным и кристаллическим состояниями с изменением электрического сопротивления.

Для переключения фаз сила тока записи должна составлять порядка 100 мкА, что значительно меньше, чем у распространенной сейчас энергонезависимой памяти, встраиваемой в чипы. Это устраняет необходимость в высоковольтном источнике питания позволяя уменьшить размеры модуля и достигнуть более высокого уровня плотности схем.

Экспериментальный модуль изготовлен с использованием 130-нанометрового КМОП-процесса. В нем применены последовательная схема записи и двухкаскадный усилитель считывания, обеспечивающие высокое быстродействие при малом энергопотреблении.