| 0 |
|
Слой фосфора атомарной толщины (фосфорен) в отличие от графена изначально обладает свойствами полупроводника, что открывает перспективы создания на его основе нового поколения сверхэкономичных устройств гибкой электроники. На пути к этому, однако, стоит препятствие в виде низкой химической стабильности фосфорена: в воздушной среде этот материал быстро окисляется и его рабочие характеристики ухудшаются.
В поисках путей преодоления этого затруднения сотрудники Института высокопроизводительных вычислений A*STAR провели серию расчётов ab inicio (исходя из базовых законов физики, без эмпирических допущений и моделей).
Они установили, что причиной быстрого окисления является низкий энергетический барьер для поглощения кислорода (~0,57 эВ). Также было продемонстрировано, что разместив фосфорен на подложке из диселенида молибдена и приложив вертикальное электрическое поле, можно многократно усилить сопротивляемость материала окислению.
«Взаимодействие и перенос заряда между подложкой и фосфореном можно регулировать внешним электрическим полем, изменяя поверхностную активность и подавляя окисление», — объясняют сингапурские учёные.
Под действием вертикального электрического поля барьер может увеличиваться до 0,91 эВ. При этом процесс окисления, в обычных условиях занимающий менее минуты, замедляется на два порядка (в 105 раз).
Авторы надеются ещё более улучшить результат подбором оптимального материала в качестве основы, желательно такого, прямо на котором фосфорен можно было бы выращивать эпитаксиальным способом.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
