`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Графеновые транзисторы «ускоряются»

+33
голоса

Ученые из IBM создали самый быстрый на сегодняшний день графеновый транзистор. Устройство оперирует на частотах выше 26 ГГц и может найти применение в беспроводном коммуникационном оборудовании.

Рабочая частота транзистора зависит от его размеров (чем меньше – тем быстрее) и от подвижности электронов. Зависимость от размеров была основным стимулом для создания все меньших кремниевых транзисторов. Однако трудности практического изготовления приборов меньших 40 нм стали преградой для дальнейшей их миниатюризации.

Некоторые исследователи верят, что «удивительный материал» графен может обеспечить прогресс в этой области. Толщина листа графена всего один атом, а электроны в нем ведут себя как безмассовые частицы (о чем уже неоднократно упоминалось). Вследствие этих и других необычных физических свойств графен часто провозглашается как замена кремнию.

 Ю-Мин Линь (Yu-Ming Lin) с коллегами из Уотсоновского исследовательского центра IBM продемонстрировали графеновый транзистор, работающий на исключительно высокой для этого материала частоте 26 ГГц. Хотя она почти в 10 раз ниже, чем частота самого быстрого кремниевого транзистора, это значительный прогресс, поскольку сам графен получен только в 2004 г., тогда как кремниевым транзисторам уже более 50 лет.

Группа также впервые обнаружила, что рабочая частота таких устройств увеличивается по мере того как уменьшается длина затвора. Значение 26 ГГц было найдено для транзисторов с длиной затвора 150 нм. Этот результат показывает путь для улучшения производительности графеновых устройств.

Большинство более ранних графеновых устройств были полевыми транзисторами с нижними затворами, использующими в качестве изолятора слой двуокиси кремния толщиной 300 нм. Устройство, разработанное группой, использует верхний затвор с диэлектриком из окиси алюминия, что позволяет работать с более низким напряжением. 

+33
голоса

Напечатать Отправить другу

Читайте также

простите, а можно увидеть ссылку на _кремниевый_ (не SiGe) транзистор способный работать на частоте 260ГГц?

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT