`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

GlobalFoundries анонсировала собственный 7-нанометровый процесс

+11
голос
GlobalFoundries анонсировала собственный 7-нанометровый процесс

На IEDM 2017 в Сан-Франциско (штат Калифорния) GlobalFoundries представила производственную технологию с уровнем детализации 7 нм, которая, по информации компании, способна обеспечить 2,8-кратное увеличение плотности, и 40% рост быстродействия (или снижение энергопотребления до 55% при той же производительности) по сравнению с 14-нанометровой технологией, используемой для изготовления процессоров AMD, чипов IBM Power и других продуктов.

Анонсированный процесс 7LP базируется на новейшем поколении транзисторов 3D или FinFET. Все основные размеры — расстояние между соседними проводящим каналами (fin pitch) 30 нм, шаг затвора (gate pitch) 57 нм и минимальный шаг дорожек металлического слоя (minimum metal pitch) 40 нм — существенно меньше, чем даёт 14-нанометровый процесс. Площадь ячейки SRAM, получаемой новым методом, составляет всего 0,0269 квадратных микрон.

По этим параметрам 7LP сравним не только с 7-нанометровым процессом TSMC, но и с 10-нанометровой технологией корпорации Intel. Samsung соответствующую информацию по своему 7-нанометровому процессу обнародует в начале следующего года на конференции ISSCC. Пока известно, что корейский чипмейкер с самого старта будет использовать в нём литографию EUV, тогда как GlobalFoundries запустит 7LP на стандартном сегодняшнем литографическом оборудовании и перейдёт на EUV позднее, для экономии цен.

GlobalFoundries будет предлагать два варианта 7LP: для компактных (мобильных) SoC, и для высокопроизводительных серверных чипов, таких как IBM Power, работающих на более высокой частоте.

Опытное производство с использованием 7LP начнётся в середине 2018 г., в штатном режиме этот процесс будет внедрен на фабрике в Мальте (штат Нью-Йорк) уже в 2019 г. Кроме того, 7LP будет положен GlobalFoundries в основу предложения FX-7 для создания заказных высокопроизводительных чипов (ASIC) с быстродействующей памятью, ориентированных на задачи машинного обучения.

В качестве альтернативы, для клиентов, меньше заинтересованных в быстродействии и больше — в экономичности, GlobalFoundries разработала процесс на основе FD-SOI. В нём используется другой, несколько более дорогой тип подложки, но количество технологических этапов уменьшено и общая цена конечных продуктов должна быть ниже. При производительности на уровне современных FinFET такие чипы будут расходовать меньше энергии, что делает их привлекательными для применения в устройствах Интернета Вещей и в прикладных процессорах для смартфонов нижнего и среднего звена.

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT