«Глазурь» на подложке улучшает свойства полупроводников

Разработка химического инженера Канзасского университета, профессора Джима Эдгара (Jim Edgar), может помочь усовершенствовать технологии производства полупроводников.

Запатентованное под названием «Несоосные подложки карбида кремния» (Off-axis silicon carbide substrates) его изобретение предлагает путь создания полупроводников, сводящий к минимуму появление дефектов из-за несовпадения структуры смежных слоев материалов. Такие дефекты обычно ухудшают функционирование электронных устройств.

По словам Эдгара, это открытие было сделано по счастливой случайности. Несколько лет назад в его лаборатории наткнулись на образец подложки с необычно гладкой поверхностью. Исследования, проведенные позднее совместно с Нью-йоркским университетом в Стоуни Брукс и Университетом Бристоля (Великобритания), подтвердили присутствие в образце дополнительного слоя, подобного сахарной глазури на торте, и показали, что в нем содержится меньше дефектов, чем в обычной подложке.

«Теперь мы пытаемся показать, что этот процесс применим к множеству различных материалов», — заявил Эдгар. В частности, объектом его последних исследований стали два соединения бора — фосфид бора и икосаэдрический фосфид.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI