`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

GLAD улучшает энергонезависимую память

+11
голос

Исследователи из Германии использовали технологию, называемую Glancing Angle Deposition (GLAD), для изготовления энергонезависимых запоминающих устройств, размер которых меньше 100 кв. нм.

При интеграции в соответствующие архитектуры эти устройства имеют плотность памяти более 1 ГБ/см2. Они могут использоваться в высокоплотных, быстродействующих и маломощных запоминающих устройствах будущего.

«Наноустройства, традиционно основанные на неорганических полупроводниках, обычно изготавливаются с помощью литографии, - объясняет член команды и ведущий автор этого исследования Джованни Лигорио (Giovanni Ligorio). - Здесь мы показали, что можно изготавливать устройства с нанометрическим основанием, используя другую технологию, GLAD, которая позволяет нам создавать устройства памяти с плотностью примерно 1 ГБ/см2, используя новые материалы, то есть органические полупроводники».

С постоянно растущим спросом на технологию логической памяти с более высокой плотностью, быстродействием и низким энергопотреблением исследователи изучают новые материалы и архитектуры. Хотя традиционная память, такая как DRAM, которая обычно используется в компьютерах, является очень быстрой, она потребляет много энергии при обновлении логических элементов. Она также дорогая в производстве. Флэш-память, которая, со своей стороны, часто используется в мобильных устройствах хранения, страдает низкой скоростью работы и малым сроком службы.

Одной из технологий, которая демонстрирует перспективы преодоления ограничений текущих ячеек памяти, является резистивная энергонезависимая память (R-NVM). R-NVM представляет собой простое двухконтактное устройство, образованное двумя электродами, разделенными изолирующим или полупроводниковым материалом.

В своей работе Лигорио и его коллеги сосредоточились на бистабильных устройствах, в которых сопротивление можно обратимо переключать между высоким и низким значениями. Каждое состояние можно прочитать без разрушения, и для его поддержания не требуется никакой мощности. Вот почему такая память называется энергонезависимой.

Слой между электродами в R-NVM может быть изготовлен из органических материалов (таких как небольшие молекулы или полимеры), а также из неорганических окислов металлов. Здесь во многих отношениях лучше использовать органические материалы – например, они могут быть обработаны при комнатной температуре или близкой к ней, могут быть реализованы на гибких подложках, а также напечатаны. Они дешевле в производстве, чем их неорганические аналоги. Однако чтобы сделать модули памяти высокой плотности, органические устройства R-NVM должны быть уменьшены в размерах.

Один из способов сделать такие устройства, не прибегая к громоздким методам литографии, это использовать GLAD, говорят исследователи. «Этот метод позволяет нам подгонять наноструктурированные морфологии посредством физического осаждения из паровой фазы, контролируя ориентацию подложки, на которой выращивается устройство, относительно направления источника пара, - объясняет Лигорио. - Когда мы наносим тонкие пленки материала на подложку под наклонным углом, поток пара не перпендикулярен к поверхности подложки, и создается наклонная наноструктура. Когда мы применяем правильное смещение между двумя электродами запоминающего устройства, мы можем образовать проводящий путь (или нить). Эта нить замыкает электроды и резко изменяет характеристики удельного сопротивления устройства. Таким образом, мы можем использовать приложенный ток для переключения устройства с его исходного состояния с высоким удельным сопротивлением в состояние с низким сопротивлением (состояния ON и OFF памяти)».

Под влиянием полученных результатов команда, возглавляемая Норбертом Кохом (Norbert Koch) , говорит, что сейчас она занята попыткой изготовить устройства в структурированных массивах, используя эту технику. «В настоящем исследовании наноустройства не упорядочивались в массив, а распределялись случайным образом. Упорядочение позволит нам подключить их к матрице электродов, которые мы синтезируем с использованием технологии печати», - говорит Лигорио.

GLAD улучшает энергонезависимую память
Простое двухконтактное устройство

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT