| 0 |
|
На прошедшей в Бостоне (штат Массачусетс) конференции 2010 MRS Fall Meeting компания Fujitsu представила технологию, которая позволяет создавать транзисторы питания на любой подложке – медной, стеклянной, пластиковой, без каких-либо ограничений на платы. Новый метод может применяться, например, для производства высоковольтных сенсорных и пьезоэлектрических устройств.
Высокое напряжение туннельного пробоя p-n-перехода достигается за счет формирования на подложке транзистора с использованием оксида цинка. При этом актуальными становятся задача снижения плотности материала канала и подавления резидентов заряда ловушки на поверхности материала (приводит к повышению напряжения электрического поля). Ученые предложили формировать канал из материала IGZO (оксид индия, галлия, цинка) и дополнительно защищать канал транзистора слоем полимера. Таким образом, удалось создать транзистор с напряжением 100 В – достаточно высоким показателем для элемента автономного питания, причем непосредственно на медном субстрате, который, помимо прочего, обеспечивает теплоотвод.
Fujitsu намерена продолжить совершенствовать технологию (повысить напряжение пробоя и снизить сопротивление в открытом состоянии), первые устройства, произведенные на ее основе, согласно планам компании, появятся к 2015 г.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
