`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Flash-память -- долгожданный реванш

0 
 
Время становления

Изобретателем flash-памяти считается корпорация Intel (1988 г.), а название технологии произошло от метода стирания -- вся микросхема за раз. Впоследствии чипы flash избавились от этого недостатка, и теперь стирание происходит побайтово или постранично. Тем не менее название прижилось и используется по сей день. Здесь необходимо пролить свет на то, что общего и какие различия между терминами flash и EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory). Если быть точным до конца, то они не эквивалентны. Архитектура EEPROM была разработана существенно раньше, и она изначально обеспечивала возможность побитового стирания информации. Flash является развитием EEPROM в направлении удешевления производства, но отнюдь не в сторону технического совершенства.

Первый чип на основе flash-технологии емкостью 256 Kb был использован в медицинской аппаратуре производства Hewlett-Packard. Тогда партия чипов обходилась в $20 за штуку или $640 за мегабайт. Спустя 12 лет, в мае 2000 г., Intel отметила продажу миллиардной микросхемы, причем 45% изделий из этого миллиарда было поставлено производителям мобильных телефонов.

В 90-х годах на основе существующей низкоуровневой технологии компании стали одна за другой придумывать способы реализации старой идеи в новой упаковке. Так, вслед за впервые показанной на осеннем COMDEX в ноябре 1995 г. Solid-State Floppy-Disk Card (SSFDC), или SmartMedia, бесконтроллерной памяти типа NAND (Not AND) от Toshiba (плод альянса с IBM, образованного еще в 1992 г.), в 1994 г. появились карты CompactFlash от SanDisk, а совсем недавно, пару лет назад (в 1998 г.) Sony тоже сказала свое "веское слово", анонсировав Memory Stick.

Удобство использования карт памяти и их надежность изначально существенно превышали аналогичные параметры магнитных носителей, однако низкие темпы продаж были обусловлены высокой стоимостью полупроводниковых изделий. Лишь когда спрос на компактные, надежные и с низким потреблением энергии носители информации превысил некоторый критический уровень вследствие увеличения рынка мобильных устройств, а цена на чипы упала -- настал звездный час flash-памяти.


Flash: прошлое и настоящее

Flash-память -- долгожданный реванш
Рис. 1 (a)
Flash-память -- долгожданный реванш
Рис. 1 (б)
Типы flash-памяти можно рассматривать на трех уровнях: интерфейсном, видов организации ячеек и типов ячеек. Мы остановимся лишь на двух последних. Вначале коснемся вопроса внутренней организации чипа EEPROM. Сперва ответим на вопрос, что подразумевается под "внутренней организацией"? На самом деле, очень простая вещь -- способ соединения ячеек. Например, сегодня наиболее популярны (~75% рынка) чипы типа NOR (Not OR). Каждая ячейка в такой микросхеме подключена к двум перпендикулярным линиям -- битов (bit line) и слов (word line). Суть логической операции NOR -- в переходе линии битов в состояние "0", если хотя бы один из транзисторов-ячеек, подсоединенных к ней, включен или, говоря иначе, проводит ток. Селекция читаемой ячейки осуществляется с помощью линии слов. Все ячейки памяти NOR, согласно правилам, подключены к своим битовым линиям параллельно (рис. 1, а).

Другой тип подсоединения называется NAND (Not AND). В этом случае битовая линия переходит в состояние "0", если все транзисторы, подключенные к ней, проводят ток. Теперь ячейки подсоединяются к битовой линии сериями (рис. 1, б), что снижает эффективность и скорость операции чтения (поскольку уменьшается ток каждой ячейки), зато повышает скорость стирания и программирования. Чтобы приуменьшить негативный эффект низкой скорости чтения, чипы NAND снабжаются внутренним регистровым кэшем. Благодаря гирляндному принципу подсоединения ячеек в этом варианте удается добиться более компактной упаковки, чем в случае с параллельной архитектурой NOR-чипов.


Типы ячеек

Stacked Gate Cell

Flash-память -- долгожданный реванш
Flash-память -- долгожданный реванш
Рис. 2
Ячейка с многослойным затвором -- наиболее старый и одновременно простой тип ячейки памяти EEPROM. В основе ее лежит полевой транзистор, имеющий, впрочем, некоторое отличие от классического аналога в виде еще одного, так называемого плавающего затвора. Этот затвор является неотъемлемой частью всех модификаций flash-памяти: он играет ту же роль, что и конденсатор в DRAM, т. е. хранит запрограммированное значение. На плавающий затвор путем двух квантовых процессов помещаются заряды с разными значениями, которые влияют на поле основного, или управляющего затвора (рис. 2).

Таким образом, состояние транзистора (проводящее или непроводящее) зависит в данном случае сразу от обеих баз. Плавающий затвор изолируется от стока, истока и управляющего затвора тончайшим слоем (около 10 нм при 1-микронном процессе производства) окиси кремния. Следовательно, чтобы сообщить заряд плавающей базе, приходится пускаться на всевозможные ухищрения. Рассмотрим вначале процесс удаления содержимого ячейки. Здесь и далее будем полагать, что исток и сток представляют собой полупроводники p-типа, а значит, для выключения транзистора необходимо создать в канале отрицательное поле, блокирующее процесс перехода электронов. Между истоком (+) и управляющим затвором (--) прикладывается напряжение, которое приводит к появлению электрического поля высокой напряженностью 10 МВ/см вдоль слоя окиси между плавающим затвором и истоком. В результате квантового эффекта туннелирования Фаулера--Нордхейма (Fowler--Nordheim) заряд с плавающей базы перетекает к истоку. Стертая ячейка будет проводить ток ("1"), так как электрический барьер поля, обеспечиваемого плавающим затвором, исчез.

Во время программирования напряжение прикладывается уже между стоком и управляющей базой. Здесь плавающий затвор заряжается "горячими" электронами (Channel Hot Electrons -- CHE), которые генерируются в канале транзистора. Эти электроны называют горячими потому, что они обладают высокой энергией, достаточной, чтобы преодолеть потенциальный барьер, создаваемый тонкой пленкой окиси кремния. Эффективность процесса программирования в данной конфигурации ячейки крайне низка. Чтобы довести дело до конца, приходится прибегать к высокому напряжению, ток между истоком и стоком достигает 1 mA. Высокие напряжения, длительное протекание сильных токов, обусловленные невысокой эффективностью, приводят к значительному снижению надежности и устойчивости памяти.

Схема внутричиповых соединений достаточно проста -- каждая ячейка подключена как к линии слов, так и к линии битов. Фактически она находится на их пересечении, что вследствие наличия в схеме высокого напряжения приводит к значительному перерасходу места: линии истоков, битов и слов приходится располагать на достаточном удалении от других элементов схемы, чтобы обеспечить необходимый уровень изоляции.

Еще один существенный недостаток однотранзисторной ячейки -- подверженность эффекту избыточного удаления (overerase). Иногда плавающая база из-за дефектов в слое окисла, образовавшихся при производстве чипа или впоследствии при его эксплуатации, теряет при стирании слишком много электронов, которые уже не может восполнить процесс программирования. В результате после нескольких циклов стирания начинает проявляться положительное электрическое поле плавающего затвора, что приводит транзистор в состояние "постоянно открыт" вне зависимости от напряжения на управляющем затворе. Происходит заземление стока на битовую линию. А это означает, что битовая линия будет всегда выдавать "1" или "0" (в зависимости от типа базовой логики -- NAND или NOR) и чтение других ячеек станет невозможным.

Помимо эффекта избыточного удаления, однотранзисторная память подвержена и всем прочим недостаткам, присущим flash-ячейкам. В основном, они связаны с нарушениями в окисном слое: медленное стекание заряда (slow leaking bits), вызывающее снижение скорости чтения и даже битовые ошибки; с другой стороны, захват заряда (накопление избыточного отрицательного заряда на плавающем затворе) приводят к ухудшению времени стирания и программирования. Нарушение слоя окисла в некоторых случаях влечет за собой появление "залипающих" битов (stuck bits) -- ячеек, быстро теряющих или, наоборот, не желающих ни при каких обстоятельствах уступать свой заряд. Утешает только, что в не очень запущенных случаях время "лечит" дефекты, возникающие после захвата заряда. Последний постепенно "рассасывается", и ячейка возвращается в свое нормальное состояние. Проблемы доставляет и группа эффектов, связанных с перекрестным влиянием операций чтения, стирания и программирования на соседние ячейки и целые области чипа.


Two Transistor Thin Oxide Cell

Flash-память -- долгожданный реванш
Flash-память -- долгожданный реванш
Рис. 3
Это двухтранзисторная ячейка с тонким слоем окисла. Второй транзистор позволяет избавиться от многих недостатков, присущих однотранзисторным ячейкам. Второй транзистор (рис. 3) используется для изоляции ячейки от битовой линии. Что ж, чрезмерные требования к производственному процессу и занимаемому ячейкой пространству компенсируются исчезновением проблем, связанных с избыточным удалением, когда одна ячейка блокирует работу всех остальных на общей битовой линии. Напряжения стирания и программирования несколько снижены за счет формирования небольшой зоны более тонкого слоя окиси кремния (8,5 нм). Ток программирования достигает всего 10 pA -- значительный шаг вперед по сравнению с вышеописанным типом ячейки (1 mA). В этом нет ничего удивительного -- в двухтранзисторной ячейке все операции с плавающим затвором основаны на эффекте туннелирования. Чтобы запрограммировать ячейку, отрицательное высокое напряжение подается на управляющий затвор (электроны туннелируют на плавающий затвор), а чтобы стереть -- положительное подается на сток (электроны туннелируют с плавающего затвора на сток).

Экономия в двухтранзисторной конфигурации достигается за счет общей линии слов: ячейки, принадлежащие одной линии, образуют страницу. Благодаря такой внутренней организации реализуется операция постраничной записи и чтения. Далее, несмотря на то, что на иллюстрациях оба транзистора выглядят одинаковыми по размеру, на самом деле это далеко не так. Размеры запоминающего транзистора диктуются необходимостью накопления на его плавающем затворе заряда необходимой величины. В то же время размеры дополнительного, изолирующего, транзистора ограничены только разрешением выбранной технологии производства.


SST Cell

Если предыдущие варианты реализации ячеек памяти EEPROM получили названия согласно своей физической сути, то имя SST является не чем иным, как аббревиатурой от Silicon Storage Technology. Технология была изобретена в этой компании, и она по праву решила увековечить себя хотя бы в наименовании ячейки.

Flash-память -- долгожданный реванш
Flash-память -- долгожданный реванш
Flash-память -- долгожданный реванш
Flash-память -- долгожданный реванш
Flash-память -- долгожданный реванш
Flash-память -- долгожданный реванш
Рис. 4
В сравнении с вышеописанными устройствами SST Cell выглядит более изящно (рис. 4). Как обычно, ячейки объединены вдоль линий слов (страницы) и линий бит (секторы). Ячейки, соединенные управляющими базами, образуют слова, ячейки, соединенные стоками, -- битовые линии. Пару слов (четные и нечетные биты), связанные общим истоком, называют страницей, которая удаляется как единый элемент. Страничная организация частично снимает вопрос перекрестного влияния операций удаления и программирования, ограничивая этот эффект пределами одной страницы.

Процесс удаления заключается в снятии с плавающего затвора отрицательного заряда за счет эффекта туннелирования Фаулера--Нордхейма между управляющей и плавающей базами. Во время удаления к управляющей базе (линия слова) прикладывается высокое напряжение (15 В), в то время как исток и сток ячейки заземляются. За счет выгнутой области у края плавающей базы образуются весьма благоприятные условия для туннелирования. Под воздействием сильного электрического поля электроны, составлявшие отрицательный заряд плавающего затвора, переносятся через тонкий слой диэлектрика-оксида на управляющую базу. В конце концов, на "истощенном" плавающем затворе формируется положительный заряд. Как видно из схемы ячейки, после выполнения операции удаления при подаче тестового напряжения на управляющий затвор (VREF) и 2 В на сток между стоком и истоком будет протекать ток, поскольку плавающая база создает вспомогательное, положительное поле, дополняющее "канал" управляющего затвора.

При программировании возникает обратная задача -- необходимо сообщить плавающей базе отрицательный заряд, своим полем преграждающий путь электронам от истока к стоку. Как и обычно, здесь применяется эффект горячих электронов. Сток заземляется, а к истоку прикладывают напряжение 12 В; на управляющий затвор подается напряжение VT, которое открывает часть канала составного транзистора вплоть до области, контролируемой плавающей базой. Высокое напряжение и мощное электрическое поле, возникающее между истоком и стоком, генерируют так называемые горячие тепловые электроны, обладающие высокой энергией, достаточной, чтобы преодолеть барьер 3,2 эВ, создаваемый оксидным изолирующим слоем, и присоединиться к заряду плавающей базы. Процесс останавливается естественным путем, когда емкость плавающей базы исчерпывается.

SST-память является абсолютным лидером по совокупности положительных качеств. Процесс производства ее прост -- 14 масочных слоев против 19 или 21, требуемых для одно- и двухтранзисторных ячеек. Толстый слой окиси (40 нм) снижает вероятность возникновения утечки электронов. Страничная организация уменьшает эффект взаимовлияния при программировании и стирании. Поскольку канал управляется плавающим затвором лишь частично, о такой неприятной вещи, как чрезмерное стирание, можно забыть. Более того, особая форма плавающего затвора снижает требования к напряжению программирования и стирания, а также повышает скорость выполнения данных операций.


Два слова о будущем

И в конце этого небольшого обзора технологий упомянем новые разновидности flash-памяти, одну из которых недавно разработала корпорация Intel -- StrataFlash. За счет технологии multilevel cell (MLC), аналога ML-ROM, она позволяет в каждой ячейке хранить два бита информации. Это достигается тем, что StrataFlash оперирует четырьмя уровнями заряда, кодирующими два бита. Уровень заряда определяет напряжение, которое необходимо приложить к управляющему затвору, чтобы открыть транзистор. Забавно, но в данном случае технология повторяет уже пройденный путь: когда-то в прошлом некоторые автоответчики снабжались flash-памятью, позволявшей при небольшом объеме записывать аудиофрагменты значительной длительности. Магия, достойная Гарри Поттера, на поверку оказалась обыкновенным фокусом: в ячейки записывался аналоговый, т. е., выражаясь модными ныне терминами, многоуровневый сигнал.

Intel первый, но не единственный игрок на рынке MLC. Вслед за корпорацией-первопроходцем технологию начали осваивать STMicroelectronics, SanDisk, Hynix, Samsung, Sharp и Toshiba. Помимо вышеперечисленных компаний, необходимо помнить об альянсе AMD (одного из крупнейших поставщиков flash-памяти) и Fujitsu, который обещает скорое появление альтернативы MLC для чипов NAND-типа (разработками занимается венчурная фирма FASL). Методика называется Mirror Bit и в корне отличается от многоуровневой ячейки Intel. В данном случае речь идет действительно о двух раздельно хранящихся битах. Еще одна мультибитовая технология является плодом усилий компании Saifun -- Nitrided ROM (NROM). Методика позволяет не только хранить по два бита в одной ячейке, но и упрощает процесс изготовления микросхем. В разработке участвуют Infineon и Hynix. Первый анонсированный чип будет иметь емкость 512 Mb.
0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT