`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Фазовые переходы как основа технологии памяти

0 
 
Ученые голландской фирмы сообщили о создании новой технологии энергонезависимой памяти, которая предназначена для реализации в микроэлектронных устройствах и использует такое физическое явление, как изменение фазового состояния.

Строго говоря, в средствах хранения информации нечто подобное уже применяется, причем давно. Речь идет об оптических носителях, где для записи служат два состояния материала, из которого они изготовлены, -- кристаллическое и аморфное. Перевод вещества из одного состояния в другое осуществляется с помощью теплового воздействия лазером, а считывание данных производится на основании оценки отражающей способности (изменяющейся при фазовом переходе).

Как отмечается в заявлении Philips, ее разработка подходит для внедрения в микросхемах, изготовляемых с помощью стандартного КМОП-процесса (в том числе, что особенно важно, субмикронного), и соответствует всем необходимым требованиям с точки зрения быстродействия, энергопотребления и рабочего напряжения. Последнее, по словам специалистов, до недавнего времени было одним из камней преткновения, препятствовавших созданию чипов памяти, основанных на фазовых переходах.

Дело в том, что исследования в области "фазовой" памяти велись достаточно давно -- в частности, ими занимались Intel, STMicroelectronics и Elpida Memory, которые лицензировали технологию калифорнийской фирмы Ovonyx (ее специалисты на протяжении долгого времени изучали соответствующие свойства халькогенидных сплавов). Однако проблема заключалась в том, что все перепробованные до недавнего времени материалы для разогрева с целью перевода из одного фазового состояния в другое требовали слишком высокого напряжения, и это не позволяло применять их в микроэлектронных устройствах.

Разработчики Philips сумели решить данную проблему за счет использования материала на основе сурьмы и теллурия с некоторыми примесями -- он в виде сверхтонкого слоя наносится на кремниевую подложку, а для переключения между фазовыми состояниями служит электрический ток. Требуемое напряжение при этом составляет приблизительно 14 В/мкм; иными словами, для перевода из одного фазового состояния в другое участка микросхемы длиной 50 нм необходимо напряжение 0,7 В.

В предложенной компанией технологии участок материала, выполняющий роль ячейки памяти, окружается слоем диоксида кремния, который, во-первых, обладает малой теплопроводностью, во-вторых, позволяет предотвратить химические реакции на поверхностях соприкосновения и предоставляет таким образом дополнительную свободу в выборе вещества электродов. Изменение фазового состояния происходит очень быстро -- так, в прототипных устройствах, изготовленных Philips, для этого требовалось примерно 30 нс, что в 100--200 раз меньше аналогичного показателя для нынешних микросхем флэш-памяти. В компании полагают, что благодаря подобным функциональным характеристикам их разработка вполне может рассматриваться в качестве альтернативы нынешней DRAM, а в более отдаленном будущем -- претендовать на роль так называемой унифицированной памяти.

"Одним из самых перспективных направлений в индустрии встраиваемой памяти является так называемая унифицированная память, которая одновременно призвана заменить все разновидности, применяемые сейчас, и сочетает в себе быстродействие SRAM, плотность DRAM и энергонезависимость флэш-технологии, -- подчеркивает д-р Карен Аттенборо (Karen Attenborough), руководитель проекта Scalable Unified Memory в подразделении Philips Research. -- Анонсированная Philips новая технология, основанная на изменении фазового состояния вещества, представляет собой значительный шаг вперед в достижении данной цели".
0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT