`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Фазовая память – еще одна технология энергонезависимых накопителей

0 
 

Какие технологии могут стать основой для создания устройств памяти в будущем? Различные варианты ответа на этот вопрос регулярно предлагают компании и исследовательские организации. В частности, недавно три ведущие фирмы IT-индустрии объявили о намерении, что называется, «прощупать почву» по одному из перспективных с их точки зрения направлений.

Американская IBM, немецкая Infineon Technologies и тайваньская Macronix анонсировали совместную исследовательскую инициативу, целью которой будет оценка перспектив технологии фазовой памяти (PCM – Phase Change Memory).

Как отмечается в опубликованном по этому поводу заявлении, в рамках данной инициативы будут объединены опыт IBM в сфере фундаментальных физических и материаловедческих исследований, возможности Infineon в области разработок и производства в промышленных масштабах устройств памяти на основе самых различных технологий, а также большой опыт Macronix в сегменте технологий энергонезависимой памяти.

Работу над проектом планируется вести на базе двух исследовательских центров IBM – TJ Watson Research Center (Йорктаун-Хейтс, штат Нью-Йорк) и Almaden Research Lab (Сан-Хосе, штат Калифорния). Всего в нем будут задействованы 20–25 сотрудников из трех фирм.

Основная идея фазовой памяти заключается в том, чтобы использовать для хранения информации два фазовых состояния вещества: кристаллическое и аморфное (первому, как несложно догадаться, предполагается присвоить значение «1», второму – «0»). Переводить вещество из одного состояния в другое исследователи намерены с помощью импульсов электрического тока.

Как говорят специалисты, фазовая память имеет ряд весомых преимуществ в сравнении с широко применяемой в настоящее время флэш-технологией. В первую очередь отмечается более высокая ее надежность.

Напомним вкратце, что ключевым элементом флэш-памяти является так называемый «плавающий затвор», который обеспечивает ее энергонезависимость за счет своей изоляции, с одной стороны, от управляющего затвора, с другой – от канала «исток–сток» (в роли изолятора здесь выступает слой оксида кремния). Зарядка плавающего затвора осуществляется с использованием туннельного эффекта, а для сохранения одного бита нужно не менее тысячи электронов.

В случае фазовой памяти характеристикой ячейки, на основании которой считываются данные, служит ее электрическое сопротивление. По словам инженеров, такой подход гораздо надежнее, поскольку он не грозит утечкой заряда.

Другое достоинство PCM – возможность достижения большего, чем у флэш-памяти, быстродействия. Она предоставляется благодаря одному из принципиальных отличий между двумя упомянутыми технологиями: перед тем как записать информацию в ячейку, в случае флэш-памяти ее необходимо очистить, а в случае фазовой памяти – нет. Время записи данных в устройствах PCM, согласно предварительным оценкам, не превысит 50 нс.

По мнению участников анонсированного проекта, коммерческие продукты на основе PCM могут появиться на рынке уже в течение ближайших 3–5 лет, а по-настоящему массовой (сопоставимой по уровню распространения с флэш-памятью сегодня) новая технология станет лет через 10–15.

Нельзя не отметить, что исследования в области PCM уже ведут несколько компаний, включая Philips, Elpida Memory и STMicroelectronics. Последняя год назад даже заявляла о том, что ее разработки вступают в новую фазу – «продукто-ориентированную». Впрочем, представителей «альянса трех» не смущает то обстоятельство, что они могут в чем-то отстать. Один из менеджеров IBM заявил, что, если решение о проведении дальнейших совместных разработок в области PCM будет принято, участники проекта намерены подойти к задаче создания устройств фазовой памяти со всей тщательностью и достичь технологического совершенства, которое способно обеспечить им успех на рынке даже в том случае, если кто-то предложит аналогичные продукты раньше.

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT