| 0 |
|
Достижение, о котором сообщили в Proceedings of the National Academy of Sciences исследователи Северозападного университета (штат Иллинойс), является важным шагом на пути к созданию электронных схем с двумерными компонентами. Совместив два материала атомарной толщины — дисульфид молибена и углеродные нанотрубки — они создали диод с гетеропереходом p-n, интерфейс между двумя типами полупроводниковых материалов.
Диод p-n является одним из наиболее распространенных компонентов современной электроники. Он составляет основу многих технологий, включая солнечные батареи, светодиоды, фотодетекторы, компьютеры и лазеры. Однако, несмотря на успехи, достигнутые за последнее десятилетие в создании электронных устройств из слоев различных двумерных кристаллов, получить таким образом p-n диод до сих пор не удавалось.
«Создавая это устройство из материалов атомарной толщины, мы получаем не только преимущества обычных диодов, но и возможность электронной настройки их характеристик, — пишет Марк Хирсам (Mark Hersam), директор Центра исследований материалов Северозападного университета. — Мы рассчитываем, что эта работа позволит реализовать новые типы электронной функциональности и результаты ее смогут быть распространены на растущее число новых двумерных материалов».
В дополнение к его электронным функциям, полученный диод обнаружил высокую светочувствительность. Это открытие позволило авторам изготовить и продемонстрировать быстродействующий фотодетектор с электронной настройкой длины принимаемой волны.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
