`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Двухслойный графен с изменяемой запрещенной зоной

0 
 

Интернациональная команда физиков из США, Португалии, Испании и Великобритании создала первый полупроводниковый материал, в котором ширина энергетической щели между валентной зоной и зоной проводимости может изменяться посредством приложенного внешнего напряжения. Исследователи считают, что полупроводники этого типа могут использоваться при создании лазеров, транзисторов и других устройств, свойства которых могут настраиваться намного легче, чем в устройствах на базе традиционных кремниевых полупроводников.

У однослойного графена в нормальном состоянии запрещенная зона отсутствует, однако при помещении двухслойного графена между положительно и отрицательно заряженными электродами такая зона создается. 

Согласно развиваемой теории, она возникает вследствие того, что поперечное напряжение вызывает избыток электронов на одном слое и положительно заряженных дырок на другом. Электроны и дырки образуют квазичастицы, поведение которых отлично от поведения составляющих их частиц.

Особенность таких квазичастиц в графене заключается в том, что они движутся так, как будто у них отсутствует масса покоя. Однако Кастро Нето (Castro Neto), один из исследователей, говорит, что квазичастицы, образованные в бислое графена имеют массу покоя, что образует энергетическую щель, которую для создания электрического тока носители заряда должны преодолеть.

Была измерена масса квазичастиц в двухслойной графеновой ленте шириной около одного и длиной несколько микрон. Для этого графен поместили на окисленный кремний и затем приложили напряжение между кремнием и верхним слоем графена. Затем графен был помещен в магнитное поле, которое вызвало движение квазичастиц по круговым орбитам, или эффект циклотронного резонанса. Радиус орбит зависит, в частности, и от массы квазичастиц. Исследователи обнаружили, что циклотронная масса увеличивается при повышении напряжения от 0 до 100 В. Это предполагает, что энергетическая щель бислоя также изменяется от 0 до 150 мэВ.

Предполагается, что графеновые полупроводники смогут быть когда-нибудь использованы для транзисторов нового типа, лазеров и молекулярных датчиков, в которых энергетическая щель может меняться при необходимости.

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT