Дизайн будущих чипов может быть значительно улучшен

Команда физиков из Университета Макгилла совместно с исследовательской группой из General Motors продемонстрировала, что электрический ток может существенно уменьшиться, когда соединяются проволоки из двух разных металлов. Это представляет интерес для преодоления имеющихся барьеров в полупроводниковых приборах.

Обнаруженный эффект может определить выбор материалов и конструкцию устройств в новой области – наноэлектронике.

Поскольку технологические нормы становятся все меньше, разработчики будущих микросхем хотят понимать, как ведет себя электрический заряд, когда он ограничен металлической проволокой всего несколько атомов в диаметре. Согласно результатам эксперимента, по мере уменьшения размеров элементов до атомного уровня сопротивление току не возрастает при согласующемся уменьшении устройства. Сопротивление начинает «прыгать вокруг», демонстрируя неожиданные квантовомеханические эффекты.

Ученые исследовали сверхмалый контакт между золотом и вольфрамом, двух металлов, комбинация которых используется сегодня в полупроводниках для соединения различных компонент в устройстве.

Более детально об этом исследовании читайте в блоге Леонида Бараша.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI