Созданы чипы способные работать при температуре 350 ºC и выше

Интегральные схемы, созданные в Арканзасском университете, способны функционировать при температурах более 350 ºC. Их разработка, финансируемая Национальным научным фондом (NSF), может позволить улучшить работу процессоров, драйверов, контроллеров и прочих аналоговых и цифровых схем, используемых в оборудовании для энергетики, автомобильной и аэрокосмической индустрии.

Коллектив ученых из Арканзаса смог улучшить рабочие характеристики многих фундаментальных аналоговых, цифровых и смешанных блоков, таких как система автоподстройки частоты (phase-locked loop, PLL), впервые использовав в них кремний-карбидную технологию комплементарного типа.

Полупроводниковый материал карбид кремния более пригоден для работы при повышенном напряжении, чем широко используемые сегодня полупроводники. Он к тому же является хорошим проводником тепла, то есть может сохранять работоспособность при более высоких температурах без дополнительных приспособлений для отвода тепла.

Эта работа является частью программы NSF Building Innovation Capacity, призванной обеспечить трансформацию инновационных идей в результаты исследований, прототипы и продукты, путем тесного взаимодействия академических учреждений и промышленных организаций. В качестве партнеров Университета выступают фирмы Ozark Integrated Circuits, Arkansas Power Electronics International, а также Raytheon.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI