Быстродействие фазовой памяти увеличено почти в восемь раз

Группа японских ученых, возглавляемая Кеном Такеучи (Ken Takeuchi), профессором факультета науки и технологии Университета Чуо, на семинаре International Memory Workshop в Милане (Италия) анонсировала высокоинтегрированную фазовую (phase change memory) память PCM NAND.

Использование полисиликоновых MOS-транзисторов позволило уменьшить теоретическую площадь ячеек памяти, а применение долгих процедур стирания ячеек сразу к целым блокам памяти сократило среднее время доступа и снизило энергопотребление. Дополнительно, группа обеспечила поддержку высокоскоростной операции обнуления при записи (программировании) памяти. Благодаря этому скорость записи увеличена на 670%, а расход энергии снижен на 70% в сравнении с существующими интерфейсами RAM.

Новый способ функционирования упрощает применение памяти PCM в приложениях хранения данных, но не позволяет организовать произвольный доступ.

Проблемой PCM NAND остается возможность незапланированного изменения битов в ячейках при операции программировании из-за использования NAND-цепочки. По информации исследователей, чтобы избежать этого, ток включения должен в четыре раза превосходить минимальный ток обнуления, а напряжение сброса регистра необходимо увеличить, по меньшей мере, на 7%.

Эта работа выполнялась в рамках проекта, спонсируемого японской организацией NEDO (New Energy and Industrial Technology Development Organization).