Новая память создана с использованием 65-нанометровой технологии Silicon-on-Insulator (SOI) и станет одним из ключевых элементов архитектуры микропроцессоров с уровнем детализации 45 нм, появление которых в полупроводниковом предложении IBM ожидается в 2008 г.
Представленная eDRAM значительно улучшает производительность внутрипроцессорной памяти (длительность цикла произвольной выборки 2 нс), занимает примерно втрое меньше места (площадь ячейки 0,126 м2) и потребляет впятеро меньше энергии в состоянии покоя (42 мВт), чем традиционно применяемая статическая память (SRAM).
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
