Анонсирована самая быстрая технология DRAM, встраиваемой в чипы

В докладах, представленных на конференции ISSCC ( International Solid State Circuits Conference), компания IBM описала новый тип оперативной памяти, встраиваемой в чипы, имеющий наивысшее быстродействие, когда-либо зафиксированное для eDRAM (embedded dynamic random access memory).

Новая память создана с использованием 65-нанометровой технологии Silicon-on-Insulator (SOI) и станет одним из ключевых элементов архитектуры микропроцессоров с уровнем детализации 45 нм, появление которых в полупроводниковом предложении IBM ожидается в 2008 г.

Представленная eDRAM значительно улучшает производительность внутрипроцессорной памяти (длительность цикла произвольной выборки 2 нс), занимает примерно втрое меньше места (площадь ячейки 0,126 м2) и потребляет впятеро меньше энергии в состоянии покоя (42 мВт), чем традиционно применяемая статическая память (SRAM).