AMD сообщила некоторые подробности о памяти HBM

AMD ознакомила общественность с новой информацией о ее технологии High Bandwidth Memory (HBM), которая найдет применение в некоторых APU и графических картах семейства Radeon 300. В настоящее время необходимые емкость и быстродействие для графических процессоров обеспечивает относительно большое количество чипов GDDR5, которые занимают много места на печатной плате.

Интеграция на чипе для DRAM малоперспективна — оптимизированный к логике процесс производства процессоров делает этот способ неэкономичным. В то же время HBM, по-видимому, максимально приближает динамическую память к подложке GPU.

Партнерство с Hynix и рядом других компаний позволило AMD определить спецификации HBM и конструкцию нового чипа памяти с низким энергопотреблением и сверхширокой шиной, которые были в 2013 г. утверждены JEDEC. Также был разработан переходник, позволяющий разместить DRAM в непосредственной близости от GPU, что упрощает коммуникации и синхронизацию.

Микросхемы HBM DRAM устанавливаются вертикально и связываются между собой и с логическим интерфейсом сквозными (through-silicon vias, TSV) соединениями и выступами (bumps). В результате образуется единый модуль, включающий GPU/SoC и широкополосную память.

Если 1 ГБ памяти GDDR5 (четыре чипа по 256 МБ) занимает площадь 672 мм2, то HBM той же емкости требует всего 35 мм2. При этом разрядность шины у нее составляет 1024 против 32 у GDDR5. Как результат, интерфейс High Bandwidth Memory может работать на гораздо более низкой частоте, но обеспечивает пропускную способность свыше 100 ГБ/с, превосходя GDDR5 в четыре раза. У HBM также ниже рабочее напряжение, что транслируется в меньший расход энергии.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365