AMD и IBM сообщили о прогрессе в разработке усовершенствованного 45 нм процесса

На встрече IEDM (International Electron Device Meeting) 12 декабря IBM и AMD представили статьи, описывающие использование иммерсионной литографии, диэлектриков ultra-low-K interconnect и множественных усовершенствованных технологий напряженных транзисторов применительно к новому поколению производственных процессов с уровнем детализации 45 нм.

Компании рассчитывают, что первые продукты, изготовленные с его помощью, появятся в середине 2008 г.

IBM и AMD сотрудничают в разработке полупроводниковых производственных технологий следующих поколений с января 2003 г., а в ноябре прошлого года они анонсировали продление их совместной программы исследований до 2011 г. и распространением ее на уровни детализации 32 и 22 нм.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI

0

Tweet