`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Алюминий и сурьма — материал для устройств хранения будущего?

+55
голосов

Новый, безвредный для окружающей среды электронный сплав, состоящий из 50% алюминиевых атомов, связанных с 50% атомов сурьмы, может оказаться перспективным для создания устройств памяти следующего поколения на эффекте фазового перехода.

Память с изменяемой фазой активно изучается как альтернатива повсеместной флэш-памяти, поскольку последняя имеет ограничения по плотности хранения. К тому же, память с изменяемой фазой может работать намного быстрее.

Фазовая память основывается на материалах, которые могут изменяться от беспорядочной, аморфной структуры до кристаллической структуры при приложении электрического импульса. Материал имеет высокое электрическое сопротивление в аморфном состоянии и низкое в кристаллическом, что соответствует бинарным 1 и 0.

У флэш-памяти возникают проблемы, когда размеры устройства становятся меньше, чем 20 нм. В то же время, устройства на фазовой памяти могут быть меньше 10 нм. «Это самая важная особенность этого вида памяти, — сказал Силинь Чжоу (Xilin Zhou) из Шанхайского института микросистем и информационных технологий при Китайской академии наук. — Данные могут также записываться в фазовую память очень быстро, и устройства были бы относительно недороги».

До настоящего времени самый популярный материал для устройств фазовой памяти содержал германий, сурьму и теллур. Но с составами из трех элементов работать более трудно, отметил Чжоу.

«Производственным процессом изготовления фазовой памяти из троичных сплавов, таких как традиционно используемые материалы на базе германия, теллура и сурьмы, трудно управлять. Травление и полировка материала халькогенами могут изменить его состав из-за движения атомов теллура», — объяснил Чжоу.

Чжоу и его коллеги обратились к материалу, состоящему всего из двух элементов: алюминия и сурьмы. Изучив свойства материала, они нашли, что он более термоустойчив, чем состав из Ge-Sb-Te. Исследователи обнаружили, что у состава 50/50 Al и Sb, в частности, есть три различных уровня сопротивления и таким образом способность хранить три бита данных в одной ячейке памяти, вместо двух. Это предполагает, что материал может использоваться для многоуровневого хранения данных.

«Двухступенчатое снижение сопротивления во время кристаллизации материала может использоваться для многоуровневого хранения данных (MLS), и интересно, что в ячейках фазовой памяти достигнуты три различных уровня сопротивления, — говорит Чжоу. — Таким образом, материал из алюминия и сурьмы выглядит весьма многообещающим для использования в высокоплотных энергонезависимых устройствах памяти вследствие его хорошей тепловой устойчивости».

Алюминий и сурьма - материал для устройств хранения будущего?

Массив ячеек фазовой памяти

+55
голосов

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT