Компания Applied Materials и корпорация DISCO анонсировали совместный проект разработки технологии уменьшения толщины кремниевых пластин с целью их использования при изготовлении трехмерных полупроводниковых устройств методом TSV (Through-silicon via).
Эта методика рпозволяет реализовать высокоплотные микросхемы с низким потреблением энергии размещая подложки одну над другой и соединяя их сквозными проводящими каналами. Составляющие такую стопку чипы или кремниевые подложки должны быть в 10 раз тоньше, чем обычно. Партнеры собираются добиться этого используя достижения Applied Materials в напылении диэлектриков и химической планаризации, с наработками DISCO в прецизионной шлифовке.
Альянс чипмейкеров рассчитывает создать интегрированный, высокоэффективный процесс, способный снизить себестоимость микросхем следующего поколения, ускорить их выход на рынок и уменьшить сопряженные риски.
Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI
| 0 |
|
