`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Как изменилось финансирование ИТ-направления в вашей организации?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Алмазы заменят кремний в транзисторах для агрессивных сред

0 
 
Алмазы заменят кремний в транзисторах для агрессивных сред

Большинство современных транзисторов основаны на кремнии, однако связанные с ним ограничения препятствуют использованию их в мощной электронике и в схемах, предназначенных для работы в неблагоприятных условиях, например, в двигателе автомобиля или в космическом пространстве с высоким уровнем радиации.

На решение таких задач нацелены алмазные транзисторы, о разработке которых коллектив японского Национального института материаловедения рассказал в статье, вышедшей на этой неделе в Applied Physics Letters.

«Промышленные алмазы имеют множество физических качеств, делающих их очень интересными для исследователей, занимающихся транзисторами, — отметил профессор Ясуо Коиде (Yasuo Koide), возглавляющий группу исследователей. — Это не только физически твёрдые материалы, они также хорошо проводят тепло, а значит могут справиться с высокими уровнями энергии и работать при более высоких температурах. Кроме того они способны выдерживать не разрушаясь более высокие напряжения, чем существующие полупроводниковые материалы».

Команда разработала инновационный производственный процесс, заключающийся в нанесении методом электронно-лучевого испарения изолятора (оксида иттрия) непосредственно на поверхность алмаза для формирования затвора полевого транзистора.

Оксид иттрия обладает многими нужными качествами, включая высокую термическую стабильность, большое сродство к кислороду и широкую запрещённую зону.

Авторы работают с промышленными алмазами, имеющими слой водорода на поверхности, и одной из их следующих задач будет понять механизм электронной проводимости через углеродно-водородный интерфейс. В конечном итоге они рассчитывают построить алмазные интегральные схемы энергоэффективных устройств для работы в условиях высоких температур или космического излучения.

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT