Закон Мура продлит 2D-транзистор

Двумерное устройство, которое сконструировали сотрудники Университета штата Нью-Йорк в Буффало, может иметь ключевое значение для продления действия закона Мура на новую эру квантовых вычислений.

Как объясняется в статье, принятой на Международной конференции по электронным устройствам, IEEE IEDM 2020, которая состоится на следующей неделе, этот транзистор требует вдвое меньшего напряжения, чем нынешние полупроводники и имеет более высокую плотность тока, чем аналогичные транзисторы, находящиеся на стадии разработки.

Транзистор состоит из слоя графена ещё одного моноатомного слоя дихалькогенида переходных металлов — дисульфида молибдена (MoS2). При этом общая толщина транзистора не превышает одного нанометра.

Благодаря процессу инъекции «холодных» дираковских электронов из графена в канал MoS2, новое устройство потребляет всего 29 милливольт рабочего напряжения, в отличие от 60 мВ для большинства современных транзисторов.

Еще больший интерес представляет способность 2D-транзистора выдерживать плотность тока 4 микроампера на микрометр — это выше, чем у традиционных транзисторных технологий с 2D- и 3D-материалами каналов.

Авторы заявили, что их разработка демонстрирует огромный потенциал 2D-полупроводников для энергоэффективной наноэлектроники и, в конечном счёте, для квантовых компьютеров.