2D-альтернатива кремнию становится более реальной

Несмотря на то, что двумерный дисульфид молибдена стал популярным объектом исследований по всему миру, ключевое препятствие его практическому использованию в перспективных (в том числе гибких и прозрачных) электронных устройствах до последнего времени не было устранено.

Речь идет о большом электрическом сопротивлении между металлическими контактами и одноатомными слоями этого материала. Высокое контактное сопротивление ограничивает величину тока между контактами и дисульфидом молибдена и ухудшает его рабочие характеристики.

Теперь, исследователи из Университета Пэрдью, корпорации Intel и компании Sematech показали как можно преодолеть это фундаментальное препятствие легируя MoS₂ дихлорэтаном (легирование n-типа).

Легирование материала со сложной наноструктурой (одноатомный слой молибдена заключен между двумя также одноатомными слоями сульфида) гораздо более трудоемкая задача, чем легирование объемного кремния. Для ее осуществления пришлось изобретести новую технологию «легирование молекулярного слоя» (molecular layer doping).

Применение легирования позволило достичь десятикратного уменьшения контактного сопротивления и 100-кратного – удельного контактного сопротивления на единицу площади. Этот результат по мнению авторов имеет фундаментальное значение для поиска возможной замены кремнию после 2020 г., когда традиционные транзисторы достигнут своего технологического предела.

Статья по итогами работы будет представлена на следующей неделе на симпозиуме 2014 Symposia on VLSI Technology and Circuits в Гонолулу.

Стратегія охолодження ЦОД для епохи AI