В ETH Zurich сделан ещё один шаг к одноатомной магнитной памяти

Теоретическая возможность магнитной памяти, в которой один бит данных записывался бы на одном атоме или молекуле, заставляет многих исследователей пытаться преодолеть технологические препятствия, стоящие на пути реализации этой идеи.

Сравнительно несложный способ фиксации таких магнитных молекул на поверхности носителя разработала международная команда, возглавляемая химиками Швейцарской высшей технической школы (ETH Zurich).

Они синтезировали молекулу с единственным атомом редкоземельного элемента диспрозия, окружённым вспомогательной структурой, облегчающей нанесение её на поверхность силикатных наночастиц. Отжиг при температуре 400 °C разрушает молекулу и даёт в конечном итоге наночастицы с равномерно распределенными по их поверхности атомами диспрозия.

Эксперименты в Лаборатории неорганической химии ETH Zurich показали, что эти атомы можно намагничивать и они сохраняют записанную магнитную информацию.

К сожалению, процесс намагничивания требует охлаждения до -270 °C и состояние одноатомного магнитного бита сохраняется не более полутора минут. Учёные продолжают работать над устранением этих недостатков, а также ищут способ переноса атомов на плоскую поверхность вместо наночастиц.

К преимуществам этого метода перед другими известными решениями относится его простота: перенос диспрозия на наночастицы легко осуществить в любой химической лаборатории, для этого не нужны сложное оборудование и чистое помещение. Полученные намагничиваемые наночастицы можно хранить для повторного использования при комнатной температуре.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365