`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Что для вас является метрикой простоя серверной инфраструктуры?

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Леонид Бараш

Управление спином электронов для хранения данных

0 
 

Исследователи научились манипулировать магнетизмом материала, создавая пространство для более быстрых устройств магнитной памяти. Исследователи Университета Тохоку разработали компьютерное моделирование, которое показывает, что использование сверхбыстрых лазерных импульсов для возбуждения электронов в магнитном материале переключает его в переходное немагнитное состояние. Это может сократить время, затрачиваемое на манипулирование магнетизмом материала, улучшение технологий хранения и обработки информации.

Хранение битов данных в устройствах с магнитной памятью требует возможности переключать магнетизм в материале между ферромагнитным и антиферромагнитным состояниями. В ферромагнитном состоянии электронные спины внутри материала выравниваются параллельно друг другу в одном направлении, делая его магнитным. В антиферромагнитном состоянии электронные спины выравниваются параллельно друг другу, но в противоположных направлениях у соседних электронов, делая материал, в котором они существуют, практически немагнитным.

Исследователи изучали способы управления спинами электронов, используя сверхбыстрые лазерные импульсы, чтобы получить более быструю память. Чем короче лазерный импульс, тем быстрее будет переворот спина.

Физики из Университета Тохоку Ацуши Оно (Atsushi Ono) и Сумио Ишихара (Sumio Ishihara) разработали компьютерную модель взаимодействия электронов и их спинов друг с другом и реагирования на лазерный свет.

Они обнаружили, что воздействие на электроны в ферромагнитных материалах непрерывным лазерным светом переводит их в возбужденное состояние, вызывая электронное взаимодействие, приводящее к антиферромагнитному эффекту. Применение сверхбыстрых световых импульсов также приводит к переключению от ферромагнетизма к переходному антиферромагнетизму с последующим восстановлением ферромагнетизма. Когда исследователи применяли сверхбыстрый лазерный импульс, сопровождаемый непрерывным лазерным светом, электроны переводились в антиферромагнитное состояние, которое затем поддерживалось непрерывным светом. Выключение непрерывного света вызвало постепенное исчезновение антиферромагнитного состояния.

Понимание этих взаимодействий, а также фундаментальные пределы переключения спина необходимы для будущей разработки устройств магнитной памяти. Следующий этап потребует физические эксперименты для проверки предсказаний модели.

«Экспериментальные подтверждения необходимы для создания практического предложения», - пишут ученые в своем исследовании, опубликованном в журнале Physical Review Letters. Оно и Ишихара предлагают перовскитные манганиты и слоистые манганиты как возможные материалы для тестирования своей модели. Они также предлагают различные методы, такие как магнитная рентгеновская дифракция и фотоэмиссионная спектроскопия, для наблюдения переходного антиферромагнитного состояния.

Управление спином электронов для хранения данных

При облучении лазером параллельные спины изменяются на антипараллельные

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
IDC
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT