| 0 |
|
Исследователи из Берлинского центра Гельмгольца (HZB) и французской исследовательской организации CNRS использовали электрические поля для управления ориентацией спинов электронов для постоянного хранения данных. Принцип может не только улучшить оперативную память компьютеров, но и обещает революционизировать следующее поколение электронных устройств.
Новый вид памяти использует явление известное как туннельная магниторезистивность (TMR). Два тонких слоя магнитного материала разделяются друг от друга изолятором толщиной всего 1 нм. С некоторой вероятностью электроны могут преодолевать этот барьер благодаря так называемому туннельному эффекту.
Если большинство спинов в обоих магнитных слоях ориентировано одинаково, то вероятность преодоления электронами барьера повышается. Эта особенность используется для построения памяти, способной быстро перезаписывать данные, во многом подобной обычной, а также постоянно хранить их.
Память, использующая эффект TMR, известная также как Magnetoresistive RAM, до настоящего времени требовала для записи данных сильных магнитных полей и, как следствие, много энергии. Однако исследователи из CNRS показали, что это требование может быть изменено, если использовать изолятор из титаната бария.
Ученые смогли использовать электрическое поле, чтобы переключать изолятор в состояние, которое оказывает влияние на магнитные слои по обеим его сторонам, управляя таким образом процессом туннелирования. Поскольку изолятор сохраняет свое состояние и в отсутствие токов, эта особенность может быть использована для построения компьютерной памяти с малым потреблением энергии.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
