Як повідомляє Reuters, голландська ASML поставить TSMC нове EUV-обладнання для випуску чипів по нормах 2 нм у 2024 році.
Тайванська компанія отримає сканери з високою числовою апертурою (high-NA EUV) які дозволять перейти на використання нанолистових транзисторів (Gate-all-around Field Effect Transistor, GAAFET). Новий технологічний процес N2 с нормами 2 нм, як очікується, у тестових зразках зʼявиться у 2025 році та дозволить підняти продуктивність чипів як мінімум на 10% у порівняні з N3E, а енергоефективність майже на 30%.
Це буде досягнуто завдяки новій архітектурі транзисторів GAAFET, які мають затвор з усіх чотирьох сторін, що знижує струми витоку. Це у купі з тим, що лінії живлення можуть бути розміщенні на звороті кристала додає гнучкість у проєктуванні, дозволяє зменшити довжину провідників та як результат - знизити втрати та електромагнітні наведення.
Очікується, що TSMC розпочне серійне виробництво чіпів за техпроцесом N2 до кінця 2025 року, а пристрої з використанням напівпровідників 2 нм, скоріш всього з'являться у 2026 р.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
0 |