| 0 |
|
Новая микросхема MRAM имеет объем 16 мегабит, скорость чтения-записи 200 MBps и при этом работает при низком энергопотреблении (напряжение 1,8 В).
Основной проблемой в разработке технологии MRAM до недавнего времени было повышение скорости чтения. Дело в том, что ток схемы возбуждения, которая генерирует магнитное поле для записи, плохо сказывается на операциях чтения из ячейки памяти. Новая MRAM имеет улучшенную схему цепей, в которой токи записи и чтения разделены, что в итоге обеспечило повышение скорости операций чтения.
Это также позволило уменьшить приблизительно на 38% эквивалентное сопротивление в цепях. В результате скорости чтения и записи удалось повысить до 200 MBps, а время цикла регенерации снизить до 34 нс. Подчеркивается, что такая производительность была достигнута при рабочем напряжении 1,8 В, которое сегодня является самым распространенным в мобильных устройствах.
Наряду с этим удалось также сократить размеры чипа -- последняя разработка Toshiba и NEC имеет площадь 78,7 кв мм, что почти на 30% меньше чипов без предложенного улучшения схем питания.
Предполагается, что MRAM станет памятью следующего поколения, основным ее преимуществом является отсутствие сброса данных после выключения питания.
Про DCIM у забезпеченні успішної роботи ІТ-директора
| 0 |
|
