Исследователи из Университета штата Орегон (OSU) добились успеха в решении одной из фундаментальных проблем материаловедения, которая не поддавалась с 60-х годов прошлого века, и которая может послужить основой для нового подхода к электронике.
Способность материалов с изменяемой фазой (PCM) быстро и легко переключаться между фазовыми состояниями сделали их привлекательными для изготовления низковольтной энергонезависимой памяти и устройств хранения.
Ученые сообщают об открытии биологических секретов, которые позволяют растениям вблизи Чернобыльской атомной станции адаптироваться и цвести в высоко радиоактивной почве.
Китайские физики показали, что магнитную память, логические вентили и сенсорные датчики могут быть сделаны более быстрыми и энергоэффективными, используя электрическое поле для переключения намагниченности чувствительного слоя только наполовину (на 90°), а не полностью в противоположное направление.
Исследователи создали тончайший лазер с момента его изобретения, что прокладывает путь для множества инноваций, включая сверхбыстрые компьютеры, использующие свет вместо электронов для обработки данных, более совершенные датчики и устройства отображения.
Вертикальный массив «одномерных» трубчатых суперструктур в комбинации с двумерными графеновыми листами может быть использован для создания нового типа СИД с хорошими оптическими и электронными свойствами.
Изящный дизайн и легкость использования – вот две основных характеристики, которые притягивают потребителей к планшетным ПК и электронным книжкам. И эти устройства вскоре могут стать еще лучше в результате прогресса в технологии дисплеев.
Объединенная команда ученых из Гарвардского университета и Университета Лидса продемонстрировали новый терагерцевый полупроводниковый лазер, который излучает с намного меньшим расхождением, чем традиционные лазеры на такой частоте. Это открывает дверь широкому кругу приложений.