Taiwan Semiconductor Manufacturing Company намерена первой выпустить чипы с уровнем детализации 40 нм

Компания Taiwan Semiconductor Manufacturing Company сообщила о запуске производственного процесса, который использует технологические нормы 40 нм. Первые пластины предположительно появятся во втором квартале 2008 года.

Из особенностей разработки стоит отметить увеличенную в 2,35 плотность размещения транзисторов по сравнению с уровнем детализации 65 нм, на 15% меньшее энергопотребление, чем у чипов, произведенных с использованием техпроцесса 45 нм, наименьший размер ячейки SRAM, а также наличие версий General Purpose (40G) и Low Power (40LP) для расширения спектра применения.

Производство микросхем с использованием техпроцессов 40G и 40LP из 12-дюймовых пластин будет запущено на заводе Fab 12, а позже, с увеличением спроса, будет переведено на Fab 14.