SK Hynix представила первую в мире основанную на CTF память «4D NAND Flash»

SK Hynix выпустила первую флэш-память по новой технологии, которую она назвала 4D NAND. Это название отражает использование в новинке не только вертикальной интеграции ячеек, но и размещение в подлежащем слое периферийных цепей. Как отмечают в SK Hynix, такой подход обеспечивает преимущества по сравнению с уже обычным методом производства — 3D Floating Gate.

Более конкретно, новая 96-слойная память TLC NAND использует технологию памяти с ловушкой заряда (CTF, Charge Trap Flash) и перенос переферийных цепей под ячейки памяти (PUC, Peri. Under Cell).

Технология 4D NAND, как заявляется, позволяет уменьшить размеры чипов на 30% и повысить плотность хранения информации на 49% по сравнению с 72-слойными чипами 3D NAND с такой же емкостью 512 Гб.

Также новая технология обеспечивает прирост производительности в операциях записи на 30% и в операциях чтения на 25%. Пропускная способность линий ввода-вывода также увеличена — до 1200 Мб/с на линию при напряжении питания 1,2 В.

Серийный выпуск памяти 4D NAND начнется до конца этого года. Одновременно SK Hynix представит клиентские SSD емкостью 1 ТБ, оснащенные собственным контроллером и прошивкой компании. Кроме того, во второй половине 2019 г. на рынок выйдут аналогичные корпоративные SSD. SK Hynix также представит для мобильного рынка накопители с UFS 3.0 в первой половине 2019 г.