Samsung начала серийное производство 20 нм чипов памяти DDR4 емкостью 8 Гб

Samsung Electronics начала серийное производство модулей памяти DDR4 объемом 32 ГБ, в которых используются 8 Гб чипы, произведенные по 20-нанометровой технологии. Новые модули памяти предназначены для серверов.

Таким образом, производитель уже имеет полную линейку чипов памяти на базе 20-нанометровой технологии: мобильные DRAM LPDDR3 плотностью 6 Гб, DDR3 плотностью 4 Гб для ПК и новые 8 Гб DDR4 для серверов.

Представленные серверные модули RDIMM DDR4-2400 объемом 32 ГБ работают при напряжении 1,2 В и превосходят модули DDR3-1866 по производительности примерно на 29%, заявляют в компании.

Причем, это не наибольший объем модуля, который можно получить с новыми чипами. Используя объемную компоновку с межслойными связями (TSV), можно изготовить модули объемом до 128 ГБ.